Micron рассчитывает нарастить выпуск NAND G11 с более чем 400 слоями во второй половине 2027 года

В презентации «Technology and products leadership for the AI era» от 21 октября Micron обозначила G11 как следующее поколение NAND и указала план наращивать выпуск во второй половине 2027 года. Компания отдельно предупреждает, что продуктовые сроки и целевые параметры в дорожной карте являются ориентировочными и могут измениться.

По плану Micron, G11 будет использовать соединение wafer-on-wafer и иметь более 400 слоёв с малым шагом ячеек. В сравнении с G9 компания указывает примерно двукратную плотность битов, скорость ввода-вывода до 1,5 раза выше и более чем на 25% меньшую энергию передачи одного бита. Это заявленные целевые показатели производителя, а не результаты независимых испытаний.

Точное число слоёв и характеристики конкретных SSD Micron пока не раскрыла. Презентация не сообщает о готовых накопителях на G11 или начале их продаж: речь идёт о технологии и плановом наращивании выпуска.

Для дальнейших поколений компания также перечисляет высокоподвижные материалы, более плотную архитектуру ячеек и энергоэффективные устройства и линии передачи данных, но не называет для этих направлений целевых дат или числовых параметров. Другие направления памяти Micron — вертикальные vHBM и vEIM, а также LPDDR6 для дата-центров — разобраны в материалах USB.RU.

Для покупателей SSD это пока не означает скорого появления накопителей на G11: Micron указывает лишь план наращивать выпуск во второй половине 2027 года. До фактического выпуска выбирать устройства придётся по уже доступным моделям, а заявленные преимущества нового поколения следует считать планами производителя, а не гарантией характеристик будущих продуктов.