Процессоры
Samsung и SK hynix готовят новые способы отвода тепла для HBM4E
Публикация:
По данным TrendForce со ссылкой на Chosun Biz и ETNews, Samsung делает ставку на гибридный медный бондинг и тепловые блоки вокруг D2D PHY, а SK hynix развивает технологию iHBM со снижением теплового сопротивления примерно на 30%.
Интерпозеры для AI-корпусов растут быстрее, чем позволяет литография. По данным Chosun Biz, на которые ссылается TrendForce, нынешние интерпозеры уже примерно в 5.5 раза больше максимальной площади 858 квадратных миллиметров, которую EUV-установка экспонирует за один проход. Представитель индустрии полупроводникового оборудования ожидает роста в девять, 12 и в перспективе 40 раз от этой площади. Причина в том, что один чип даже на самом тонком техпроцессе уже не тянет требования AI-нагрузок, и в один корпус ставят несколько вычислительных чиплетов вместе со стеками HBM.
Samsung планирует начать массовое производство HBM4E в следующем году и готовит сразу несколько тепловых решений. Первое - гибридный медный бондинг (HCB): вместо микроскопических бампов между слоями DRAM используются прямые медь-медь соединения. Стек становится тоньше, а тепло отводится лучше. Технологию Samsung показал на конференции NVIDIA GTC 2026 в марте.
Второе решение - Heat Path Block (HPB). На выставке COMPUTEX 2026 компания назвала D2D PHY в базовом кристалле HBM, который гоняет данные между памятью и GPU на высокой скорости, одним из главных источников нагрева. HPB прокладывает выделенный теплопуть вокруг этой зоны, чтобы снизить тепловое сопротивление. Сейчас технологию валидируют на HBM4E, а внедрить планируют начиная с HBM5.
SK hynix идёт похожим путём локального охлаждения. По данным ETNews, её технология iHBM размещает вокруг D2D PHY теплопроводящий, но электроизолирующий материал, создавая выделенный путь отвода тепла. Компания рассчитывает снизить тепловое сопротивление примерно на 30%.