SEMI: кремниевые мосты поведут упаковку нового поколения вместо больших интерпозеров

Ассоциация полупроводниковой индустрии SEMI считает, что следующее поколение крупной упаковки поведут не интерпозеры, а мосты. На брифинге для прессы перед выставкой Semicon West 2026 в Сан-Франциско 12 октября вице-президент технологического сообщества SEMI APHI Бет Кезер заявила, что соединения чип-чип на кремниевых интерпозерах сталкиваются с серьёзными производственными ограничениями в крупных корпусах. Её формулировка: в ближней перспективе рынок поведёт гетерогенная интеграция на мостах.

Проблема в геометрии. Кремниевые интерпозеры вырезают из круглых 300-миллиметровых пластин, и когда корпус вырастает до 100 на 100 миллиметров и больше, с одной пластины выходит не больше четырёх интерпозеров, а края пластины под прямоугольные детали вообще не годятся. Сама Кезер привела пример: процессорные корпуса Intel раньше были около 45 на 45 миллиметров, а теперь переваливают за 100 на 100 и доходят до 120 на 120.

Мостовая упаковка встраивает небольшие кристаллы в подложку FC-BGA и ставит мосты только там, где между чипами нужна плотная разводка. Кремний остаётся самым распространённым материалом мостов. Intel выпускает структуру EMIB серийно с 2017 года, TSMC использует CoWoS-L с локальными кремниевыми мостами начиная с платформы Nvidia Blackwell, а сборщики ASE и Amkor развивают собственные технологии FoCoS-B и S-Connect.

Параллельно идут работы над органическими мостами: Samsung Electro-Mechanics вместе с Qualcomm развивают подход на фоточувствительном диэлектрике, а японская Shinko Electric делает технологию i-THOP. Отдельный прогноз Кезер касается стеклянных подложек: два года назад она ждала их внедрения около 2030 года, а теперь называет 2028-й, причём первыми технологию возьмут одна-две ведущие компании.