Процессоры
Samsung и SK Hynix борются с перегревом HBM4E
Публикация:
Интерпозеры для ИИ-упаковки разрослись до 5.5 площадей одного EUV-кадра, и отводить от них тепло все сложнее. Samsung готовит гибридное медное соединение и тепловые блоки вокруг D2D PHY, SK Hynix отвечает теплопроводящим материалом с падением теплового сопротивления на 30%.
По данным Chosun Biz, которые приводит TrendForce, интерпозеры, соединяющие вычислительные кристаллы и HBM, продолжают расти: сейчас они занимают примерно в 5.5 раза больше максимальной площади экспозиции EUV-сканера, 858 кв. мм. Источники из полупроводниковой отрасли ожидают дальнейшего роста - вплоть до 40-кратной площади кадра. Причина в пределе масштабирования: один кристалл уже не вытягивает нагрузки ИИ, поэтому производители собирают несколько чиплетов и стеков HBM на одном интерпозере.
Samsung готовит для HBM4E два решения. Первое - гибридное медное соединение (HCB): оно заменяет микроскопические шарики припоя между слоями DRAM прямым соединением медь-к-меди. Стек получается тоньше и лучше отводит тепло; технологию показали на NVIDIA GTC 2026 в марте. Второе - тепловой блок (HPB): выделенный тепловой тракт вокруг D2D PHY в базовой матрице HBM. Этот узел на COMPUTEX 2026 назвали главным источником тепла - он отвечает за скоростную передачу данных между HBM и GPU. HPB сейчас валидируют на HBM4E, а внедрить планируют в HBM5. Массовое производство HBM4E Samsung рассчитывает начать в следующем году.
SK Hynix идет похожим путем. По данным ETNews, ее технология iHBM размещает вокруг D2D PHY теплопроводящий, но электрически изолирующий материал, создавая выделенный путь для отвода тепла. Компания рассчитывает снизить тепловое сопротивление примерно на 30%.